限制的廣泛程度除了中資企業外，外資位於中國境內的生產基地也需要透過「逐案申請許可」方式方能持續取得製造相關設備。另外，針對任何可能使用於軍事用途的晶片，中國也難以透過進口方式持續取得。
根據TrendForce調查，此次更新的限制範疇主要在邏輯IC (例如FinFET或GAAFET)的16/14nm或更先進製程、DRAM的18nm或更先進製程、NAND Flash晶片的128層或更高層數產品三個部分。
對晶圓代工產業衝擊分析
晶圓代工部分，針對設備供應，在SMIC 2020年被列入實體清單後，據TrendForce調查，美商務部針對美系設備商欲出口16nm (含)以下的設備至未被列入實體清單的中系晶圓廠，包含HuaHong Group等，甚至外資位於中國境內的生產基地，皆須經過審核方能執行。因此目前中系晶圓廠皆多半以28nm及以上的製程發展為擴產(廠)主軸；而中系以外的晶圓代工廠則僅有台積電(TSMC)南京以28nm擴產為主，未有先進製程規劃。
TrendForce指出，儘管中系晶圓廠積極與中國本土、歐系及日系設備商合作，企圖發展非美系產線，並已轉以發展28nm及以上的製程為主，但該禁令形同完全扼殺中國發展14/16nm及以下先進製程擴產及發展的可能性，且28nm及以上的製程擴產亦須經過曠日廢時的審查流程。
此外，繼8月底將NVIDIA A100/H100及AMD MI250等應用於HPC領域的高階GPU列入管制範圍內後，本次禁令擴大其限制範圍，未來針對美系廠商，包含應用於datacenter、AI、supercomputer等HPC領域的CPU、GPU、AI accelerator等，皆需要經過審核方可出口至中國。除此之外，各晶圓代工廠恐怕將無法再為任何中系IC設計公司製造任何上述提及的HPC相關領域晶片。TrendForce認為，無論中系或美系IC公司，目前HPC相關晶片多半委由TSMC進行製造，製程主流為7nm、5nm或部分12nm。未來不論是美系廠無法再出口至中國市場，或是中系廠無法進行開案、量產投片，都為TSMC 7nm、5nm製程未來的訂單狀況帶來負面影響。
對記憶體產業衝擊分析
TrendForce 指出，根據美國商務所公佈的新規範，在DRAM部分將限制在18nm製程(含)以下設備需要商務部審查後方能進口，此舉將會大幅限制或遞延中國DRAM未來持續發展。CXMT坐擁中國境內最大中系記憶體市佔，自2Q22起，該公司致力於19nm製程跨入17nm製程；雖然該禁令發佈前已加速購買未來所需機台，但數量上仍顯不足。加上CXMT仍持續興建新廠房，其中含合肥Phase2，以及與SMIC商談中的SMBC，後續都會面臨設備取得的難題。
除CXMT外，受到限制令影響的還有SK hynix位於無錫的DRAM生產基地C2廠。該廠佔全世界總DRAM產能約13%，其製程轉進已演進到1Ynm及更先進製程，意即後續的持續新增投產所需設備都要有個案許可證。
TrendForce同時觀察到，在地緣政治的考量下，雖然當下市場需求低迷，嚴重供需失衡，DRAM市場中的三大原廠仍規劃在未來10年內在母國增建產能，持續降低在中國生產的比重。
在NAND Flash的部分，TrendForce指出，未來進口中國的NAND Flash生產設備將受更一步限制，尤其針對128層(含)以上設備要求事先核准才准進入，預估該法案將大幅衝擊中國YMTC長期廠區升級計畫，以及Samsung西安廠、Solidigm在大連的製程轉進規劃。
TrendForce指出，此禁令將限制YMTC進一步擴大客戶版圖，現階段YMTC已積極送驗SSD產品，希望於2023年成功打入非中國廠商客戶供應鏈。未來隨著禁令影響顯現，美國政府對中國記憶體產業發展採取較嚴格的限制措施，將使得後續非中國客戶對於YMTC的使用與意願大幅限縮。
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