世界的種種大躍進，都與電力離不開關係，例如工業革命、更智慧的家電用品與個人裝置等等，甚至近年來倡導節能環保、永續地球，電動車(EV)、綠能，更是為產業帶來新的變革。而此一新改變，讓氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙(WBG)半導體，獲得市場極大的矚目，發展功率相關半導體的業者也紛紛朝此領域發展，而納微(Navitas)亦是其中僅專注於GaN及SiC功率元件研發的一員。
Navitas CEO暨創辦人Gene Sheridan指出，由於GaN和SiC的特性比矽(Si)來的好，例如高擊穿電壓、可運作在高頻率、更高的開關速率，以及更高的轉換效率…等，讓GaN和SiC可應用在傳統矽功率元件已無法滿足的高電壓、高頻應用、包括太陽能板、儲能系統、超快充電、電動車、資料中心…等。不僅如此，現今全球致力往永續地球的目標前進，寬能隙元件，尤其是Navitas研發的每款GaNFast IC，都能為各種應用省下4公斤的碳排放量；而GaNSense產品可較矽IGBT省下80%的能源。
由於看好GaN、SiC元件對於新一代功率相關應用的優勢，以及未來各式應用都需要電力的協助才能實現其效能，因此Navitas自創立之初，即鎖定研發GaN和SiC功率半導體。Sheridan表示，Navitas的終極目標是「Electrify Our World」，讓所有須使用電力的裝置、設備，除了能體會到寬能隙半導體帶來的優勢外，還能夠實現環境永續。
而專注開發GaN、SiC功率元件，以及GaNFast、GaNSense產品易於設計，較其他競爭產品可應用於更高頻率及電壓、更高可靠度、更高效…等特性，Sheridan強調，這些讓Navitas有機會在220億美元的功率市場中，取得一席之地，未來Navitas也將持續耕耘包括行動裝置、消費性電子、資料中心、電動車、太陽能、風力、智慧電網和工業市場等重點市場。
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