ROHM está trabajando arduamente en el desarrollo de componentes de SiC y planea lanzar la quinta generación de SiC MOSFET en 2025.
El SiC (carburo de silicio) es un material semiconductor que se ha convertido en una alternativa popular al silicio en la industria de la electrónica de potencia debido a sus propiedades superiores. Ofrece una mayor eficiencia energética, una mayor capacidad de voltaje y una mayor resistencia a altas temperaturas en comparación con el silicio.
ROHM, una empresa líder en tecnología de semiconductores, ha estado invirtiendo en la investigación y el desarrollo de SiC durante muchos años. En 2011, lanzaron la primera generación de SiC MOSFET, seguida de la segunda generación en 2013 y la tercera generación en 2015. En 2018, lanzaron la cuarta generación de SiC MOSFET, que ha sido ampliamente adoptada en aplicaciones de vehículos eléctricos de alta gama.
Ahora, ROHM está dando un paso más hacia el futuro con el lanzamiento de la quinta generación de SiC MOSFET. Esta nueva generación promete un rendimiento aún mejor y una mayor eficiencia energética que sus predecesores. Se espera que sea un avance significativo en la industria de la electrónica de potencia y un paso importante hacia la adopción masiva de vehículos eléctricos.
Una de las principales aplicaciones de los SiC MOSFET es en vehículos eléctricos. Con la creciente preocupación por el cambio climático y la necesidad de reducir las emisiones de gases de efecto invernadero, los vehículos eléctricos se están convirtiendo en una opción cada vez más popular para los consumidores conscientes del medio ambiente. Y con la quinta generación de SiC MOSFET, ROHM está ayudando a impulsar esta tendencia al proporcionar una solución más eficiente y confiable para la electrónica de potencia en los vehículos eléctricos.
Además de su uso en vehículos eléctricos, los SiC MOSFET también tienen aplicaciones en otras industrias, como la energía solar, la energía eólica y la electrónica de consumo. Con su mayor eficiencia y capacidad de voltaje, pueden ayudar a mejorar el rendimiento y la durabilidad de los sistemas de energía renovable y los dispositivos electrónicos.
En resumen, ROHM está liderando el camino en el desarrollo de SiC MOSFET y su próxima quinta generación es un testimonio de su compromiso con la innovación y la mejora continua. Con su lanzamiento previsto para 2025, podemos esperar ver un aumento en la adopción de SiC MOSFET en una variedad de aplicaciones y un impulso hacia un futuro más sostenible y eficiente en términos de energía.