晶圓代工製程跨入2奈米 (nm) 為持續提升驅動電流等因素，轉而朝環繞式閘極電晶體架構 (GAA, gate-all-around)研發，架構從2維轉到3維，讓量測變得相對困難，這也就是nanoseex團隊看到的痛點。他們建立關鍵尺寸X光反射式 (CD-XRR) 量測技術，在設備的X光跟鏡組設計擁有專利，其設備應用於GAA結構關鍵尺寸 (CD) 量測，滿足量測微區≤ (50 x 50) µm2製程圖案需求，及穿透多層GAA結構，提供原子級解析度關鍵尺寸量測，確保2奈米製程前段晶片的良率和性能。
nanoseex執行長劉軍廷指出，2nm轉換到3維結構，前段上百道的製程，其中幾道製程已經是傳統光學沒辦法量測，面臨靈敏度跟解析度不足的問題，X光就是要解決這樣的問題，相較市面上量測厚度跟關鍵尺寸形貌的機台，大部分為微米 (um) 等級，他們自行設計的機台可以量測到nm等級，也發現國際大廠都慢慢朝這個方向走，很多X光團隊都在發展，晶圓製程走到3D結構都有這樣的問題，已形成趨勢。
nanoseex執行長劉軍廷出席SEMICON Taiwan活動。 (來源：蔡銘仁攝影)
劉軍廷表示，3nm以前使用可見光量測，是因為可以透過大數據的光學參數得知結果，當進到2nm變成3D結構，結構變化多了垂直的Z軸，且由於3維結構是許多不同材料混合，可見光從下方往上打能看到表面但穿透不了太深，即便可以穿透靈敏度也會降低，難以判斷內部實際狀況，X光直接透過打光，不受到材料限制，沒有靈敏度的問題，準確度會比之前高。
過往前段製程大多是歐美廠商的天下，nanoseex選擇這樣的戰場切入，劉軍廷坦言有蠻大的挑戰。他舉例，前段製程設備一台要價上億台幣，市場很大，他們也有技術可以解決現有的問題，比如X光需要超精密的鏡組聚焦，橢圓偏光鏡也需要根據不同的波長做特別切削，設備在高真空環境運算的要求也比傳統機台更高，但這些挑戰應該不會做不到，希望開發前段的半導體設備，明年進到產線測試，帶動台灣高階設備技術隨之提升。
經濟部技術處處長邱求慧在今年SEMICON Taiwan展會活動時，也特別提到nanoseex的技術。他表示，能達到2nm製程若沒有好的量測，就無法把良率提高，用X光可以量測2nm複雜的3D結構，比傳統測量時間減少60%全世界最快，已獲致茂電子投入9,000萬投資，「後續還有很多廠商對這樣的技術表達高度興趣，募資金額上看3億元，顯示廠商認同技術，相信未來會有很大的突破。」
「我們對nanoseex的技術非常有興趣！」致茂總經理曾一士致詞時，也明確透露出對nanoseex技術的期待。他表示，進到nm等級到原子、分子大小的檢測技術非常困難，nanoseex技術深度困難度跟資本密集的程度，以及對產業的重大影響力，在所有科專計畫中是非常重要的技術，致茂非常期待也希望有參與機會，以此擴大自家產品，對國家帶來重要貢獻。
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